Neutron induced single event upset dependence on bias voltage for CMOS SRAM with BPSG

  1. Vazquez-Luque, A.
  2. Marin, J.
  3. Terron, J.A.
  4. Pombar, M.
  5. Bedogni, R.
  6. Sanchez-Doblado, F.
  7. Gomez, F.
Revista:
IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

Ano de publicación: 2013

Volume: 60

Número: 6

Páxinas: 4692-4696

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TNS.2013.2283532 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus