Neutron induced single event upset dependence on bias voltage for CMOS SRAM with BPSG

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Revista:
IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

Año de publicación: 2013

Volumen: 60

Número: 6

Páginas: 4692-4696

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TNS.2013.2283532 GOOGLE SCHOLAR

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