Neutron induced single event upset dependence on bias voltage for CMOS SRAM with BPSG

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Zeitschrift:
IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 60

Nummer: 6

Seiten: 4692-4696

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TNS.2013.2283532 GOOGLE SCHOLAR

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