Study of discrete doping-induced variability in junctionless nanowire MOSFETs using dissipative quantum transport simulations

  1. Aldegunde, M.
  2. Martinez, A.
  3. Barker, J.R.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2012

Volumen: 33

Número: 2

Páginas: 194-196

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2011.2177634 GOOGLE SCHOLAR
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