Study of discrete doping-induced variability in junctionless nanowire MOSFETs using dissipative quantum transport simulations

  1. Aldegunde, M.
  2. Martinez, A.
  3. Barker, J.R.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 33

Nummer: 2

Seiten: 194-196

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2011.2177634 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus