NEGF simulations of a junctionless Si gate-all-around nanowire transistor with discrete dopants

  1. Martinez, A.
  2. Aldegunde, M.
  3. Brown, A.R.
  4. Roy, S.
  5. Asenov, A.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2012

Volume: 71

Páxinas: 101-105

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.10.028 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus