NEGF simulations of a junctionless Si gate-all-around nanowire transistor with discrete dopants

  1. Martinez, A.
  2. Aldegunde, M.
  3. Brown, A.R.
  4. Roy, S.
  5. Asenov, A.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 71

Seiten: 101-105

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.10.028 GOOGLE SCHOLAR
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