Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data

  1. Ruiz, A.
  2. Couso, C.
  3. Seoane, N.
  4. Porti, M.
  5. Garcia-Loureiro, A.
  6. Nafria, M.
Revista:
IEEE Access

ISSN: 2169-3536

Año de publicación: 2021

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/ACCESS.2021.3090472 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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