Impact of gate edge roughness variability on FinFET and gate-all-around nanowire FET

  1. Espineira, G.
  2. Nagy, D.
  3. Indalecio, G.
  4. Garcia-Loureiro, A.J.
  5. Kalna, K.
  6. Seoane, N.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2019

Volume: 40

Número: 4

Páxinas: 510-513

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/LED.2019.2900494 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus