Impact of gate edge roughness variability on FinFET and gate-all-around nanowire FET

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Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 40

Nummer: 4

Seiten: 510-513

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2019.2900494 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

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