Three-dimensional simulations of random dopant and metal-gate workfunction variability in an In0.53 Ga 0.47 As GAA MOSFET

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2013

Volumen: 34

Número: 2

Páginas: 205-207

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2012.2230313 GOOGLE SCHOLAR

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