Three-dimensional simulations of random dopant and metal-gate workfunction variability in an In0.53 Ga 0.47 As GAA MOSFET

  1. Seoane, N.
  2. Indalecio, G.
  3. Comesana, E.
  4. Garcia-Loureiro, A.J.
  5. Aldegunde, M.
  6. Kalna, K.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 34

Nummer: 2

Seiten: 205-207

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2012.2230313 GOOGLE SCHOLAR

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