Scaling Challenges of Nanosheet Field-Effect Transistors into Sub-2 nm Nodes
- Alabdullah, M.G.K.
- Elmessary, M.A.
- Nagy, D.
- Seoane, N.
- Garcia-Loureiro, A.J.
- Kalna, K.
Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
ISSN: 2168-6734
Ano de publicación: 2024
Volume: 12
Páxinas: 479-485
Tipo: Artigo
