Channel length dependence of discrete dopant effects in narrow Si nanowire transistors: A full 3D NEGF study
- Martinez, A.
- Asenov, A.
- Aldegunde, M.
Konferenzberichte:
2010 14th International Workshop on Computational Electronics, IWCE 2010
ISBN: 9781424493845
Datum der Publikation: 2010
Seiten: 81-84
Art: Konferenz-Beitrag
