A Worst-Case Analysis of Trap-Assisted Tunneling Leakage in DRAM Using a Machine Learning Approach

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Año de publicación: 2021

Volumen: 42

Número: 2

Páginas: 156-159

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2020.3046914 GOOGLE SCHOLAR
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