A Worst-Case Analysis of Trap-Assisted Tunneling Leakage in DRAM Using a Machine Learning Approach

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  2. Asenov, P.
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  6. Moroz, V.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 42

Nummer: 2

Seiten: 156-159

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2020.3046914 GOOGLE SCHOLAR
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