Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations

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  2. Nagy, D.
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  7. Dettmer, W.
  8. Perić, D.
  9. García-Loureiro, A.J.
  10. Kalna, K.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2017

Ausgabe: 128

Seiten: 17-24

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2016.10.018 GOOGLE SCHOLAR
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