Variability characterisation of nanoscale Si and InGaAs fin field-effect-transistors at subthreshold
ISSN: 1546-2005, 1546-1998
Año de publicación: 2015
Volumen: 11
Número: 2
Páginas: 256-262
Tipo: Artículo
ISSN: 1546-2005, 1546-1998
Año de publicación: 2015
Volumen: 11
Número: 2
Páginas: 256-262
Tipo: Artículo