Random dopant related variability in the 30 nm gate length In0.75Ga0.25As implant free MOSFET

  1. Seoane, N.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Kalna, K.
  4. Asenov, A.
Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 7

Nummer: 3

Seiten: 159-163

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S10825-008-0233-3 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

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