3D Monte Carlo simulation of Tri-Gate MOSFETs using tetrahedral finite elements

  1. Aldegunde, M.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Martinez, A.
  4. Kalna, K.
Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

Año de publicación: 2008

Páginas: 153-156

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/SISPAD.2008.4648260 GOOGLE SCHOLAR
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