Numerical analysis of abrupt heterojunction bipolar transistors

  1. Garcia-Loureiro, A.J.
  2. Lopez-Gonzalez, J.M.
  3. Pena, T.F.
  4. Prat, L.
Revista:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

ISSN: 0894-3370

Ano de publicación: 1998

Volume: 11

Número: 4

Páxinas: 221-229

Tipo: Artigo

DOI: 10.1002/(SICI)1099-1204(199807/08)11:4<221::AID-JNM303>3.0.CO;2-V GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus