Numerical analysis of abrupt heterojunction bipolar transistors

  1. Garcia-Loureiro, A.J.
  2. Lopez-Gonzalez, J.M.
  3. Pena, T.F.
  4. Prat, L.
Zeitschrift:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

ISSN: 0894-3370

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 11

Nummer: 4

Seiten: 221-229

Art: Artikel

DOI: 10.1002/(SICI)1099-1204(199807/08)11:4<221::AID-JNM303>3.0.CO;2-V GOOGLE SCHOLAR

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