Effect of gallium doping on structural and transport properties of the topological insulator Bi2Se3grown by molecular beam epitaxy

  1. Brito, D.
  2. Pérez-Rodriguez, A.
  3. Khatri, I.
  4. Tavares, C.J.
  5. Amado, M.
  6. Castro, E.
  7. Diez, E.
  8. Sadewasser, S.
  9. Claro, M.S.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Ano de publicación: 2022

Volume: 132

Número: 11

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/5.0107004 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus