Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors

  1. Seoane, N.
  2. Kalna, K.
  3. Cartoixa, X.
  4. Garcia-Loureiro, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2022

Volumen: 69

Número: 9

Páginas: 5276-5282

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2022.3188945 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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