Diseño racional in silico de nuevas nanoestructuras de tipo dador‐aceptor en forma de anillo para una captura eficiente de herbicidas de amonio cuaternario
- Á. Vidal-Vidal 1
- E. M. Cabaleiro Lago 2
- L. Sánchez-Guirao 1
- O. Nieto Faza 1
- C. Silva López 1
-
1
Universidade de Vigo
info
-
2
Universidade de Santiago de Compostela
info
- Segade Zas, Luisa María (ed. lit.)
- Ausín Neira, David (ed. lit.)
- Cabeza, Óscar (ed. lit.)
Editorial: Servizo de Publicacións ; Universidade da Coruña
ISBN: 978-84-9749-735-0
Año de publicación: 2018
Páginas: 47-58
Congreso: Encuentro Inter-Bienal del Grupo Especializado de Termodinámica (GET) (16. 2018. Oleiros (A Coruña))
Tipo: Aportación congreso
Resumen
En este capítulo se analiza la viabilidad del uso de nuevas arquitecturas supramoleculares de tamaño nanométrico denominadas cicloparafenilenos ([n]-CPP) para la captura de pesticidas de la familia de los herbicidas de amonio cuaternario. Todos los nanoanillos considerados son capaces de formar complejos altamente estables con el pesticida conocido como ciperquat. De entre ellos el [8]-CPP es el mejor candidato ya que se establece un balance óptimo entre la penalización energética del pesticida en el interior de la cavidad (deformación + repulsión) y la maximización de las interacciones estabilizantes (electrostática + dispersión + inducción). El estudio en detalle de las interacciones intermoleculares no covalentes así como del origen de las elevadas energías de interacción que posee el sistema pesticidananohoop se realiza empleando la teoría perturbativa adaptada por simetría (SAPT). Este análisis permite realizar el diseño racional in silico de nuevas estructuras de tipo dador-aceptor con capacidad de captura mejorada para este pesticida. Tras realizar un screening con más de 15 combinaciones de grupos funcionales sustituyendo el cicloparafenileno se ha encontrado que la inclusión de 4 grupos amida en posiciones consecutivas incrementa la energía de interacción con respecto al sistema sin modificar un 47.8 % gracias principalmente al aumento de la componente electrostática.