Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes

  1. Seoane, N.
  2. Aldegunde, M.
  3. Nagy, D.
  4. Elmessary, M.A.
  5. Indalecio, G.
  6. García-Loureiro, A.J.
  7. Kalna, K.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Ano de publicación: 2016

Volume: 31

Número: 7

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0268-1242/31/7/075005 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus