Variability in Si nanowire MOSFETs due to the combined effect of interface roughness and random dopants: A fully three-dimensional NEGF simulation study
- Martinez, A.
- Seoane, N.
- Brown, A.R.
- Barker, J.R.
- Asenov, A.
ISSN: 0018-9383
Datum der Publikation: 2010
Ausgabe: 57
Nummer: 7
Seiten: 1626-1635
Art: Artikel